炭化ケイ素(SiC:Silicon Carbide 製品名:ROICERAM®-HS)は高純度・高強度・低熱膨張という特長をもち、耐酸性・耐熱性に優れています。主に高温で使用される半導体製造装置の部材として、30年以上の実績があります。そこで培われた様々な技術を活かして、近年は、LED・太陽電池・SiCパワーデバイス用途でも採用されています。

使用用途

  • 半導体製造装置用部材(Si、SiCパワーデバイス、高温酸化・拡散炉、LPCVD炉)
  • LED製造装置用部材(MOCVD炉)
  • 太陽電池製造装置用部材(高温拡散炉)
  • 精密光学機器用構造部材
  • 航空宇宙分野など

炭化ケイ素(Silicon Carbide)とは

シリコン(Si)と炭素(C)が結合した化合物で、セラミックスに分類されます。 ダイヤモンド・炭化ホウ素に次ぐ高い硬度をもち、耐熱性・化学的安定性・耐酸化性・熱伝導性に優れています。

ロイセラム®-HSの特長

ロイセラム®-HSの物性データ

項目 単位 ロイセラム®‐HS Uグレード
見かけ嵩密度 kg/㎥ 3.0×103
3点曲げ強度 MPa 230
ヤング率 GPa 366
熱膨張係数 10-6/℃ 4.4
熱伝導率 W/(m・K) 180
比熱 J/(kg・K) 0.7×103
体積固有抵抗(20℃) Ω・cm 1×10-1
  • データは参考値であり、保証値ではありません。

技術開発

主に高温で使用される半導体製造装置の部材として、30年以上の実績があり、そこで培われた様々な技術[①複雑な構造を実現する接合技術 ②ミクロンオーダーの精度を実現する精密加工技術 ③気相成長(CVD)法によるSiC成膜技術]を活かして、近年は、LED・太陽電池・SiCパワーデバイス用途でも採用されています。また、SiCは原子力や核融合、航空宇宙分野などでの応用が期待されています。AGC旭硝子はこれらを含めた新しいアプリケーションの可能性を追求した技術開発を続けています。

接合技術

複雑な構造を実現する

精密加工技術

ミクロンオーダーの精度を実現する

成膜技術

気相成長(CVD)法による

販売・生産拠点